2016工研院新科院士胡正明在11月接受總統蔡英文授證，事實上，胡正明在五月才從美國總統歐巴馬手上接下了「美國國家技術創新獎」，這是美國表彰科技貢獻的最高獎項。一年之內先後接受兩位總統授證殊榮，胡正明在科學領域的成就不言可喻。
胡正明曾任台積電技術長，現在是美國加州柏克萊大學台積電講座教授，對全球半導體發展的影響力極大，與台積電董事長張忠謀同屬半導體教父級的人物。
很多人都聽過英特爾知名的「摩爾定律」（意指IC上可容納的晶體管數目，每隔十八個月便會增加一倍，性能也將提升一倍），但可能不知道五年前摩爾定律就到極限，而突破那個極限的人是胡正明。
胡正明所發明的三維「鰭型電晶體」（FinFET），以及「完全空乏型電晶體」（FD-SOI），兩大革命性創新為半導體帶來新契機。2011年五月英特爾宣布使用FinFET技術，包括台積電、三星、蘋果也都陸續採用FinFET。胡正明的貢獻，由此可知。
「過去我們一直用平面結構來思考晶圓的發展，因此尺寸的縮小就有了極限，最後在發現電晶體不必是平面之後，既有的定律就會被打破。」胡正明深入淺出地說明了他研發技術的精髓所在。
同時胡正明以「創新不是目標，解決問題才是，解決問題就是創新。」這幾句話來勉勵下世代的科技青年。他自身也正是透過不斷的解決問題、進行創新，創造出如此卓越的貢獻。
談起超越摩爾定律對他的意義，胡正明舉兒時回憶為例，他說，很小的時候，就一直思考一個問題：一張紙剪一半、再剪一半，可以剪到多小？這個問題始終困擾著他。剪紙與摩爾定律，都存在極限的問題，或許，這股內心想追求解答的動力，即是成就胡正明發明微縮晶片技術，根深柢固的潛在因子。
